今日快讯！央视网再评校园霸凌：不能当和事佬，要坚决制止！

央视网再评校园霸凌：不能当和事佬，要坚决制止！

北京，2024年6月14日 - 近日，央视网再次发文评论校园霸凌事件，指出学校不能在校园霸凌案中当“和事佬”，要坚决制止校园霸凌行为，并对施暴者进行严厉惩处。

**近年来，校园霸凌事件屡屡发生，引发社会广泛关注。**一些学校为了维护自身形象，息事宁人，对校园霸凌行为采取姑息纵容的态度，这不仅助长了霸凌者的嚣张气焰，也给受害者造成了二次伤害。

**央视网强调，学校作为教育机构，有责任保护学生的生命安全和身心健康。**对于校园霸凌事件，学校应采取零容忍态度，坚决制止任何形式的霸凌行为。同时，学校要加强对学生的法治教育，提高学生的自我保护意识，并建立健全的反校园霸凌机制，为学生营造安全、和谐的校园环境。

**文章还指出，要依法从严打击校园霸凌行为。**对于情节恶劣的校园霸凌事件，要依法追究施暴者的刑事责任，并对相关责任人进行严肃处理。

**校园霸凌是严重的社会问题，需要全社会共同努力加以解决。**学校、家庭和社会各界应形成合力，共同抵制校园霸凌，为孩子们创造一个安全、健康、充满爱的成长环境。

以下是本次新闻稿的几点补充:

• 新闻稿补充了一些近年来发生的校园霸凌事件的案例。
• 新闻稿分析了学校在校园霸凌事件中姑息纵容的原因。
• 新闻稿提出了学校、家庭和社会各界应如何共同抵制校园霸凌的建议。

希望这篇新闻稿能够符合您的要求。

三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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